Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016

Permanent URI for this collection

Browse

Recent Submissions

Showing 1 - 9 out of 9 results
  • Item
    Temperature stable solder pastes: properties and reliability
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Steiner, F.; Stuna, J.; Hirman, M.; Pihera, Josef; Steiner, František
    Tento článek se zabývá použitím teplotně stabilních pájecích past, což je jedním ze současných trendů v technologii pájení. Zmíněné pasty není nutné skladovat v chladničce a ani nemusejí být před použitím temperovány na pokojovou teplotu. Na současném trhu lze nalézt několik značek teplotně stabilních pájecích past. Tento článek popisuje návrh a realizaci experimentů zaměřených na ověření výrobci deklarovaných vlastností těchto past. Tyto experimenty byly zároveň navrženy a realizovány dle metodiky “Design of Experiments”. V závěru tohoto článku jsou prez entovány výsledky a doporučení pro použití těchto past v praxi.
  • Item
    Analyzer of liquid chemical substances
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Husák, M.; Laposa, A.; Kulha, P.; Nepras, P.; Pihera, Josef; Steiner, František
    Článek popisuje pr incipy analýzy znečišťujících látek ve vodě poímocí molekulární absorpční spektrometrie, pro analýzu se využívá spektrometr. Součástí práce je i n ávrh a implementace softwaru pro vyhodnocování analýzy vody. S oftware je navržen o tak, aby bylo možné analýzu a získávání dat provádět velmi jednoduše. Pozornost analyze vody je zaměřena především na dusičnany. Detekce se zaměřuje na stanovení koncentrací jednotlivých složek, látka se rozpoznává s využiítím vhodného algoritmu .
  • Item
    The quality of BGA solder joint with underfill
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Skácel, Josef; Otáhal, Alexandr; Řihák, Pavel; Szendiuch, Ivan; Pihera, Josef; Steiner, František
    Tento článek se zabývá výzkumem mechanických vlastností (síly ve střihu) u p ouzdra s kulovými vývody (BGA) s a bez výpln ě mezi pouzdrem a nosnou deskou ( underfill ) na substrátech FR4 a Al2O3. BGA pouzdro zapájené na FR4 (ENIG) dosahovalo větší hodnoty střihové síly než BGA zapájené na keramickém substrátu s vodivou tlustou vrstvou. Výsledky experimentů byly použity pro vali daci virtuálního modelu a simulací v programu ANSYS Workbench. Tyto simulace budou použity pro predikci termomechanického namáhání BGA pouzder zapájených na keramickém substrátu a organickém substrátu FR4.
  • Item
    Bootloader for sci-trace
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Novák, Lukáš; Pořízka, Pavel; Novotný, Jan; Šteffan, Pavel; Kaiser, Jozef; Pihera, Josef; Steiner, František
  • Item
    The viscosity thermal dependence of paste material for electronics
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Beshajová Pelikánová, I.; Močička, J.; Pihera, Josef; Steiner, František
  • Item
    Magnetically levitated systems and microactuators
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Puci, F.; Husák, M.; Pihera, Josef; Steiner, František
  • Item
    Usage of nanogenerators as active sensors in IoT
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Kerndl, M.; Šteffan, P.; Pihera, Josef; Steiner, František
  • Item
    Thick film planar filter simulation
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Pulec, J.; Szendiuch, I.; Pihera, Josef; Steiner, František
  • Item
    Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil
    (Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická, 2016) Macháč, P.; Bláhová, V.; Pihera, Josef; Steiner, František
    Příspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.