Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil
Date issued
2016
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Abstract
Příspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.
Description
Subject(s)
grafen, chemická depozice, graphene, chemical deposition
Citation
Electroscope. 2016, č. 3.