Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil

Date issued

2016

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická

Abstract

Příspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.

Description

Subject(s)

grafen, chemická depozice, graphene, chemical deposition

Citation

Electroscope. 2016, č. 3.
OPEN License Selector