Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy
| dc.contributor.author | Khan, Saleem Ayaz | |
| dc.contributor.author | Vondráček, Martin | |
| dc.contributor.author | Blaha, Peter | |
| dc.contributor.author | Horáková, Kateřina | |
| dc.contributor.author | Minár, Jan | |
| dc.contributor.author | Šipr, Ondřej | |
| dc.contributor.author | Cháb, Vladimír | |
| dc.date.accessioned | 2020-06-22T10:00:15Z | |
| dc.date.available | 2020-06-22T10:00:15Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.description.abstract | Uspořádání atomů B v dopovaném systému Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B bylo studováno za použití jemné struktury rentgenové absorpce blízko okraje (NEXAFS). Atomy boru byly deponovány segregací z objemu opakovaným blikáním vzorku. Pozice atomů B se stanoví porovnáním měřených polarizovaných (závislých na úhlu) NEXAFS spekter se spektry vypočtenými pro různé strukturální modely na základě výpočtu celkové energie ab initio. Zjistilo se, že většina atomů boru je umístěna v podpovrchových polohách Lc1, pod atomem Si. Avšak v závislosti na metodě přípravy může být významná část atomů B umístěna jinde. Možné umístění těchto ne-Lc1-atomů je na povrchu, vedle těch atomů Si, které tvoří rekonstrukci ( √ 3 × √ 3)R30◦. | cs |
| dc.description.abstract-translated | The arrangement of B atoms in a doped Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B system was studied using a near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS). Boron atoms were deposited via segregation from the bulk by flashing the sample repeatedly. The positions of B atoms are determined by comparing measured polarized (angle-dependent) NEXAFS spectra with spectra calculated for various structural models based on ab initio total energy calculations. It is found that most of boron atoms are located in sub-surface Lc1 positions, beneath a Si atom. However, depending on the preparation method a significant portion of B atoms may be located elsewhere. A possible location of these non-Lc1-atoms is at the surface, next to those Si atoms which form the ( √ 3 × √ 3)R30◦ reconstruction. | en |
| dc.format | 7 s. | cs |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.identifier.citation | KHAN, S. A., VONDRÁČEK, M., BLAHA, P., HORÁKOVÁ, K., MINÁR, J., ŠIPR, O., CHÁB, V. Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy. Journal of physics-condensed matter, 2020, roč. 32, č. 4. ISSN 0953-8984. | en |
| dc.identifier.document-number | 492984500006 | |
| dc.identifier.doi | 10.1088/1361-648X/ab4aba | |
| dc.identifier.issn | 0953-8984 | |
| dc.identifier.obd | 43929549 | |
| dc.identifier.uri | 2-s2.0-85075814264 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/37029 | |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.project.ID | EF15_003/0000358/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami | cs |
| dc.publisher | IOP Publishing | en |
| dc.relation.ispartofseries | Journal Of Physics-condensed Matter | en |
| dc.rights | Plný text není přístupný. | cs |
| dc.rights | © IOP Publishing | en |
| dc.rights.access | closedAccess | en |
| dc.subject | ab initio | cs |
| dc.subject | strukturní analýza | cs |
| dc.subject | XAS | cs |
| dc.subject.translated | ab initio | en |
| dc.subject.translated | structure analysis | en |
| dc.subject.translated | XAS | en |
| dc.title | Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy | en |
| dc.title.alternative | Lokální geometrie kolem B atomů v B/Si(111) z polarizované rentgenové absorpční spektroskopie | cs |
| dc.type | článek | cs |
| dc.type | article | en |
| dc.type.status | Peer-reviewed | en |
| dc.type.version | publishedVersion | en |