Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy

Abstract

Uspořádání atomů B v dopovaném systému Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B bylo studováno za použití jemné struktury rentgenové absorpce blízko okraje (NEXAFS). Atomy boru byly deponovány segregací z objemu opakovaným blikáním vzorku. Pozice atomů B se stanoví porovnáním měřených polarizovaných (závislých na úhlu) NEXAFS spekter se spektry vypočtenými pro různé strukturální modely na základě výpočtu celkové energie ab initio. Zjistilo se, že většina atomů boru je umístěna v podpovrchových polohách Lc1, pod atomem Si. Avšak v závislosti na metodě přípravy může být významná část atomů B umístěna jinde. Možné umístění těchto ne-Lc1-atomů je na povrchu, vedle těch atomů Si, které tvoří rekonstrukci ( √ 3 × √ 3)R30◦.