Studium vnějších vlastností ZnO:Al narostlého technikou SILAR
| dc.contributor.author | Offiah, Solomon U. | |
| dc.contributor.author | Agbo, Solomon N. | |
| dc.contributor.author | Šutta, Pavol | |
| dc.contributor.author | Mâaza, Malik | |
| dc.contributor.author | Ugwuoke, Paulinus E. | |
| dc.contributor.author | Osuji, Rose U. | |
| dc.contributor.author | Ezema, Fabian I. | |
| dc.date.accessioned | 2018-02-21T11:35:24Z | |
| dc.date.available | 2018-02-21T11:35:24Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description.abstract | Hliníkem dopované tenké vrstvy ZnO s křemeni-podobnou strukturou byly úspěšně deponovány na skelné substráty postupnou iontově adsorpční reaktivní metodou. Byl zkoumán vliv procentního složení hliníkových dopantů na nanostrukturu „květinám-podobných“ klastrů ZnO, morfologii a jejich optické vlastnosti. Tenké vrstvy ZnO, které krystalizují v hexagonální wurtzitové struktuře o velikosti krystalitů 44, 51, 56 a 43 nm pro intrinsickou vrstvu a vrstvy s 1, 3 a 5-ti procentním dotováním hliníkem. Přednostní orientace krystalitů je ve všech případech ve směru [001] kolmém na podložku. Ramanova spektroskopie odhalila pokles intenzity charakteristické spektrální čáry ZnO v důsledku substituce iontů Zn2+ atomy Al3+ a předpokládané potenciálové fluktuace slitinové neuspořádanosti. Zavedením Al3+ dopantů se významně zvýšila optická šířka zakázaného pásma ZnO. | cs |
| dc.description.abstract-translated | Aluminum-doped ZnO thin films with pebble-like structures have been successfully deposited on glass substrates by successive ionic layer adsorption reaction method. The effect of percentage composition of the aluminum dopants on the flower-like clusters of the ZnO nanostructures on the structure, morphology, and optical properties was investigated. The ZnO thin films which were crystallized in hexagonal wurtzite structures with crystallite sizes of 44, 51, 56, and 43 nm for the intrinsic and 1, 3, and 5% Al-doped ZnO thin films, respectively. Preferred orientation of crystallites is in all cases in [001] direction perpendicular to the sample surface. The Raman spectroscopy revealed decrease in the intensity of the ZnO characteristic peak due to the substitution of the Zn2+ atoms by the Al3+ and attributed to potential fluctuations of the alloy disorder. The introduction of the Al3+ dopants significantly increased the optical band gap. | en |
| dc.format | 8 s. | cs |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.identifier.citation | OFFIAH, S. U., AGBO, S. N., ŠUTTA, P., MÂAZA, M., UGWUOKE, P. E., OSUJI, R. U., EZEMA, F. I. Study of the extrinsic properties of ZnO:Al grown by SILAR technique. Journal of solid state electrochemistry, 2017, roč. 21, č. 9, s. 2621-2628. ISSN 1432-8488. | en |
| dc.identifier.doi | 10.1007/s10008-017-3514-6 | |
| dc.identifier.issn | 1432-8488 | |
| dc.identifier.obd | 43919375 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/29254 | |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.project.ID | ED2.1.00/03.0088/CENTEM - Centrum nových technologií a materiálů | cs |
| dc.project.ID | LO1402/CENTEM+ | cs |
| dc.publisher | Springer | en |
| dc.rights | Plný text není přístupný. | cs |
| dc.rights | © Springer Verlag | en |
| dc.rights.access | closedAccess | en |
| dc.subject | Tenké vrstvy | cs |
| dc.subject | ZnO | cs |
| dc.subject | dopanty | cs |
| dc.subject | SILAR | cs |
| dc.subject | nano-struktury | cs |
| dc.subject.translated | Thin films | en |
| dc.subject.translated | ZnO | en |
| dc.subject.translated | dopants | en |
| dc.subject.translated | SILAR | en |
| dc.subject.translated | nano-structures | en |
| dc.subject.translated | SILAR = Successive Ionic Layer Adsorption | en |
| dc.title | Studium vnějších vlastností ZnO:Al narostlého technikou SILAR | cs |
| dc.title | Study of the extrinsic properties of ZnO:Al grown by SILAR technique | en |
| dc.type | článek | cs |
| dc.type | article | en |
| dc.type.status | Peer-reviewed | en |
| dc.type.version | publishedVersion | en |