Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil

dc.contributor.author	Macháč, P.
dc.contributor.author	Bláhová, V.
dc.contributor.editor	Pihera, Josef
dc.contributor.editor	Steiner, František
dc.date.accessioned	2016-12-14T09:36:23Z
dc.date.available	2016-12-14T09:36:23Z
dc.date.issued	2016
dc.description.abstract	Příspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.	cs
dc.format	10 s.	cs
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.identifier.citation	Electroscope. 2016, č. 3.	cs
dc.identifier.issn	1802-4564
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11025/22031
dc.language.iso	en	en
dc.publisher	Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická	cs
dc.relation.ispartofseries	Electroscope	cs
dc.rights	Copyright © 2015 Electroscope. All Rights Reserved.	en
dc.rights.access	openAccess	en
dc.subject	grafen	cs
dc.subject	chemická depozice	cs
dc.subject	graphene	en
dc.subject	chemical deposition	en
dc.title	Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil	en
dc.type	článek	cs
dc.type	article	en
dc.type.status	Peer-reviewed	en
dc.type.version	publishedVersion	en

Files

Showing 1 - 1 out of 1 results

Showing 1 - 1 out of 1 results