Charakterizace elektrických vlastností tenkovrstvých polovodičů na bázi Cu<sub>2</sub>O

dc.contributor.advisorKozák Tomáš, doc. Ing. Ph.D.cs
dc.contributor.authorMalík, Danielcs
dc.contributor.refereeRezek Jiří, Ing. Ph.D.cs
dc.date.accepted2025-06-19
dc.date.accessioned2026-02-21T18:03:15Z
dc.date.available2024-10-15
dc.date.available2026-02-21T18:03:15Z
dc.date.issued2025-05-29
dc.date.submitted2025-05-29
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá elektrickými vlastnostmi tenkých vrstev Cu<sub>2</sub>O, a to jak nedopovaných, tak dopovaných dusíkem. Zkoumána byla rezistivita, pohyblivost a koncentrace nosičů náboje u tří sérií vzorků připravených za různých podmínek a upravených žíháním s rozdílnou rychlostí ohřevu. První série byla měřena impedanční spektroskopií, ale kvůli vzniku ohmického kontaktu nebylo možné v měření pokračovat. U dalších dvou sérií byla použita Hallova metoda, včetně měření teplotní závislosti v rozsahu 300-400 K. Výsledky ukázaly, že pomalejší ohřev zvyšuje rezistivitu i mobilitu děr, zatímco dusíková příměs zvyšuje koncentraci děr a snižuje rezistivitu. Teplotní měření potvrdilo typické chování polovodiče. Cílem bylo získat přehled o těchto vlastnostech pro možné technologické využití.cs
dc.description.abstract-translatedThis bachelor's thesis investigates the electrical properties of Cu<sub>2</sub>O thin films, both undoped and nitrogen-doped, focusing on resistivity, carrier mobility, and concentration. Three sample series were prepared under different conditions and annealed at various heating rates. The first series was measured using impedance spectroscopy, but further analysis was hindered by the formation of ohmic contact. The other two were analyzed by the Hall method, including temperature-dependent measurements from 300 to 400 K. Slower heating increased resistivity and hole mobility, while nitrogen doping increased hole concentration and reduced resistivity. Temperature dependence confirmed typical semiconductor behavior. The aim was to provide insight into these properties for potential technological applications.en
dc.description.departmentKatedra fyzikycs
dc.description.resultObhájenocs
dc.format55
dc.identifier100814
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/66626
dc.language.isocs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezenícs
dc.rights.accessopenAccesscs
dc.subjectCu<sub>2</sub>Ocs
dc.subjectrezistivitacs
dc.subjectmobilitacs
dc.subjectkoncentrace nosičů nábojecs
dc.subjectimpedanční spektroskopiecs
dc.subjectHallův jevcs
dc.subjectžíhánícs
dc.subjectdopování dusíkemcs
dc.subject.translatedCu<sub>2</sub>Oen
dc.subject.translatedresistivityen
dc.subject.translatedmobilityen
dc.subject.translatedcharge carrier concentrationen
dc.subject.translatedimpedance spectroscopyen
dc.subject.translatedHall effecten
dc.subject.translatedannealingen
dc.subject.translatednitrogen dopingen
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta aplikovaných vědcs
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-programAplikovaná fyzika a fyzikální inženýrstvícs
dc.titleCharakterizace elektrických vlastností tenkovrstvých polovodičů na bázi Cu<sub>2</sub>Ocs
dc.typebakalářská prácecs
local.files.count4*
local.files.size8545264*
local.has.filesyes*
local.relation.IShttps://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=100814

Files

Original bundle
Showing 1 - 4 out of 4 results
No Thumbnail Available
Name:
BP_Malik_A22B0188P.pdf
Size:
7.61 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
VŠKP
No Thumbnail Available
Name:
PV_Malik_A22B0188P.pdf
Size:
122.63 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek vedoucího VŠKP
No Thumbnail Available
Name:
PO_Malik_A22B0188P.pdf
Size:
150.45 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek oponenta VŠKP
No Thumbnail Available
Name:
PB_Malik_A22B0188P.pdf
Size:
278.8 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Průběh obhajoby VŠKP