Rezonanční izolující měnič s GaN tranzistory
Date issued
2021
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Západočeská univerzita v Plzni
Abstract
Předkládaná diplomová práce se věnuje návrhu a realizaci rezonančního izolujícího
měniče s GaN tranzistory. V práci je uvedeno stručné porovnání polovodičových materiálů a rezonančních měničů. Dále se práce zabývá samotným návrhem měniče, který zahrnuje výběr a dimenzování polovodičových součástek, návrh budícího obvodu, mechanický koncept a následnou realizaci. Závěrečná část práce se věnuje oživení a testování prototypového měniče.
Description
Subject(s)
gan tranzistory, měkká komutace, rezonanční obvod, rezonanční měniče, driver