Rezonanční izolující měnič s GaN tranzistory

Date issued

2021

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Západočeská univerzita v Plzni

Abstract

Předkládaná diplomová práce se věnuje návrhu a realizaci rezonančního izolujícího měniče s GaN tranzistory. V práci je uvedeno stručné porovnání polovodičových materiálů a rezonančních měničů. Dále se práce zabývá samotným návrhem měniče, který zahrnuje výběr a dimenzování polovodičových součástek, návrh budícího obvodu, mechanický koncept a následnou realizaci. Závěrečná část práce se věnuje oživení a testování prototypového měniče.

Description

Subject(s)

gan tranzistory, měkká komutace, rezonanční obvod, rezonanční měniče, driver

Citation

Collections

OPEN License Selector