Elektronické a termoelektrické vlastnosti třímocného chalcohalidového polovodiče: Studie prvních zásad

Date issued

2018

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Springer Verlag

Abstract

Ternární chalkoalidy jsou široce využívány pro různé aplikace. Termoelektrické vlastnosti SbSI, SbSeI a SbSBr byly zkoumány teoretickými simulacemi a nálezy byly provedeny pomocí BoltzTraP kódu založeného na semi-klasické Boltzmannově transportní teorii. V této studii jsme simulovali elektronické struktury s použitím generalizovaného gradientu Englo-Vosko použitého v programu WIEN2k. Z elektronických struktur pásem jsme nalezli kombinaci lehkých a těžkých pásů kolem úrovně Fermi ve valenčním pásmu, které silně ovlivňují efektivní hmotnost nosičů. Celé termoelektrické parametry, jako je elektrická, elektronická část tepelných vodivostí, Seebeckův koeficient a výkonový faktor, byly analyzovány jako funkce teplotního a chemického potenciálu. Korelace mezi efektivními hmotami a termoelektrickými vlastnostmi je také zahrnutá v diskusi, protože účinná hmota odhaluje pohyblivost nosičů, které zase ovlivňují termoelektrické vlastnosti. Nahrazení síry odhaluje vysokou elektrickou vodivost a menší součinitel Seebeck založený na efektivní hmotnosti vede ke zvýšení účiníku.

Description

Subject(s)

Halidy, polovodiče, elektronická struktura, termoelektrika, tepelná vodivost

Citation

KHAN, W., HUSSAIN, S. W., MINÁR, J., AZAM, S. A. Electronic and Thermoelectric Properties of Ternary Chalcohalide Semiconductors: First Principles Study. Journal of electronic materials, 2018, roč. 47, č. 2, s. 1131-1139. ISSN 0361-5235.
OPEN License Selector