Influence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO films

Abstract

V této práci se je využit naprašování z keramických a kovových terčů ke snížení obsahu kyslíku v oxidu zinečnatém dopovaného hliníkem. Vrstvy o tloušťce 200 až 220 nm se rozprašují při teplotě 100 a 250 ° C a zkoumají rentgenovou difrakcí, energetickou disperzní spektroskopií a Hallovým měřením. Bylo zjištěno, že snížení kyslíku ve vrstvě vede k vyšší koncentraci nosiče náboje, zejména díky lepší účinnější aktivaci Al atomů jako donorů. Vyšší teploty vedou k lepší mobilitě nosičů kvůli zlepšení krystalinitu. Je dosaženo nejnižší rezistivity 1,4 × 10-3 Ω cm vysoce transparentní vrstvy připraveného při 100 °C. Větší redukce kyslíku vede k dalšímu snížení rezistivity, ale také k významnému zhoršení optické propustnosti.