Počítačová simulace procesů na terči během reaktivního magnetronového naprašování

Abstract

Tato práce se zabývá zkoumáním procesů na terči během reaktivního magnetronového naprašování. V práci je shrnuta teorie reaktivního magnetronového naprašování a metodika simulace procesů na terči na atomární úrovni a popsán program SDTrimSP. Byly provedeny simulace přímé implantace a "knock-on" implantace kyslíku do terče v závislosti na energii dopadajících atomů a složení terče. Simulace těchto procesů probíhaly v dynamickém a statickém režimu. Dále je zkoumána závislost relativní koncentrace kyslíku na hloubce v terči pro různé poměry toku atomů argonu a kyslíku a pro terč složený ze zirkonia nebo hliníku, případně tenké vrstvy ZrO2 na povrchu. Na závěr je prostudován průběh odprašování zoxidovaného zirkoniového terče v závislosti na počtu dopadlých atomů argonu na jednotku plochy.