Doping induced effect on optical and band structure properties of Sr2Si5N8 based phosphors: DFT approach

Abstract

Nitrido Silikáty se objevil jako vysoce efektivní luminiscenční materiály (luminofory), které našel značné průmyslové aplikace jako bílé světlo emitující diody (LED) byly zkoumány s ohledem na pásové struktury a související elektronické struktury parametry. Mají laditelné optické vlastnosti, jako kapela propast je nepostradatelný, protože zjistí, že elektrické a optické vlastnosti materiálu, který může měnit podle složení materiálu (dopingem technika). Je také konstatovat, že široké průmyslové aplikace jako vysoce efektivní vyzařující červené luminofory materiály křemičitany nitridu (hliníková) "Sr2Si5N8: Eu2+" v pc LED. V této zprávě, že uplatňujeme v rámci GGA+U přístupu ke studiu strukturální teorie hustotního funkcionálu (DFT) dopoval elektronických a optických vlastností Eu2+ a Ce3+ Sr2Si5N8. Celková energie byla optimalizována vztažené na jednotku objemu buňky. Elektronová struktura včetně, elektronické hustota státu (DOS), pásové struktury a lineární optické citlivosti jsou vypočteny pro uvolněné struktura použití optimalizované příhradové konstanta. Vypočtené optický rozptyl napěťová citlivost jsou úzce souvisí s odpovídající elektronické struktury a naše výsledky jsou velmi dobré shody s experimentálními daty.