Zkoumáním optoelektronických vlastností nitrido-magneso-silikátů: Ca [Mg3SiN4], Sr [Mg3SiN4] a Eu [Mg3SiN4]

Abstract

Optoelektronické vlastnosti nitrido-magneso-silikátů Ca [Mg3SiN4], Sr [Mg3SiN4] a Sloučeniny Eu [Mg3SiN4] byly zkoumány metodou the relativistic full-potential augmented plane-wave method (FLAPW) založené na funkční teorii hustoty (DFT). Výpočty elektronických a optických vlastností byly provedeny pomocí aproximace lokální hustoty (LDA), generalizované gradientové aproximace (GGA) a modifikovaného potenciálu Becke Johnson (mBJ). Studie o strukturách pásky ukazuje, že tyto sloučeniny jsou materiály nepřímého zakázaného pásma. Při změně funkčních hodnot jsme zjistili velkou odchylku v získané hodnotě energetické mezery. Funkce mBJ vede k větší hodnotě mezery ve srovnání s případy LDA a GGA. Na základě vypočtené elektronické struktury byly vypočteny optické vlastnosti, jako je komplexní dielektrická funkce, koeficient absorpce, odrazivost, funkce ztráty energie a index lomu, funkce fotonové energie. Původy spektrálních piků v optických spektrech byly diskutovány a přiřazeny různým elektronickým přechodům pozorovaným z výpočtu elektronické struktury.