Charakterizace elektrických vlastností tenkovrstvých polovodičů na bázi Cu-O and Cu-O-N

Abstract

Tato bakalářská práce se zaměřuje na zkoumání elektrických vlastností tenkých vrstev oxidu mědi, které byly dopovány dusíkem (Cu-O, Cu-O-N), ve dvou sériích vzorků s různými depozičními podmínkami. Byla změřena rezistivita, koncentrace nosičů náboje a jejich pohyblivost na čtvercových vzorcích pomocí Van der Pauwovy metody. Pro vybrané vzorky byla navíc změřena teplotní závislost těchto veličin v rozmezí teplot od 200 K do 580 K. Pomocí fitování teplotní závislosti koncentrace nosičů náboje byla na základě modelu příměsového polovodiče typu P určena koncentrace akceptorových hladin a jejich aktivační energie. Práce ukázala, že dopování dusíkem zvyšuje koncentraci nosičů náboje a snižuje jejich pohyblivost. S rostoucí koncentrací dusíku v materiálu také klesala rezistivita vrstev.