Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications
Date issued
2018
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Springer
Abstract
P-AgO / psi / n-Si heterojunction byl vyroben pomocí vysokého vakua tepelným odpařováním stříbra a podrobením tepelné oxidaci při 300 ◦C porézního křemíku.
Description
Subject(s)
AgO, tepelná oxidace, Lifetime, Hetero Diode, XRD, AFM, SEM
Citation
HABUBI, N. F., ABD, A. N., DAWOOD, M. O., AL-JAARY, A. H. R. Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications. Silicon, 2018, roč. 10, č. 2, s. 371-376. ISSN 1876-990X.