Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů.

Show simple item record
dc.contributor.advisorŠtěpánek Jan, Ing. Ph.D.
dc.contributor.authorJustin, Alexandr
dc.contributor.refereeJára Martin, Ing. Ph.D.
dc.date.accepted2019-6-27
dc.date.accessioned2020-08-24T11:45:06Z
dc.date.available2018-10-5
dc.date.available2020-08-24T11:45:06Z
dc.date.issued2019
dc.date.submitted2019-6-13
dc.description.abstractNejprve je provedena důkladná rešerše technologií výkonových GaN tranzistorů, následuje rešerše Si MOSFET tranzistorů. V návaznosti na to jsou porovnány tranzistory a probráno GaN HEMT spínání na 1MHz a Si MOSFET spínání na 1kHz. V poslední části se práce zabývá zvolením vhodných budících obvodů pro tyto tranzistory v zapojení do půl můstku. Návrh budících obvodů zahrnuje výběr a dimenzování galvanicky izolovaného driveru, galvanicky izolovaného DC zdroje připojeného k driveru a obvodu pro generování mrtvých časů.cs
dc.description.abstract-translatedFirst, a thorough exploration of GaN power transistors technology is performed, followed by exploration of Si MOSFET transistors technology. After, the transistors are compared and GaN HEMT switching at 1MHz is discused, then Si MOSFET switching at 1kHz is discused. In the last part, the thesis deals with the selection of suitable driver circuits for these half-bridge transistors. The driver circuit design includes the selection and sizing of a galvanically isolated driver, a galvanically isolated DC source connected to a driver and a dead time generation circuit.en
dc.description.resultObhájenocs
dc.format40 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier78620
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/39434
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.subjectizolovaný drivercs
dc.subjectzáporné napětícs
dc.subjectbudící obvodycs
dc.subjectblokové schémacs
dc.subjectkřemíkcs
dc.subjectgalium-nitridcs
dc.subjectsics
dc.subjectgancs
dc.subjectvýkonové tranzistorycs
dc.subjectspínací frekvencecs
dc.subjectpwmcs
dc.subjectpulsně šířková modulacecs
dc.subjectmosfetcs
dc.subjecthemtcs
dc.subjectfetcs
dc.subject.translatedinsulated driveren
dc.subject.translatednegative voltageen
dc.subject.translateddriver circuitryen
dc.subject.translatedblock diagramen
dc.subject.translatedsiliconen
dc.subject.translatedgallium-nitrideen
dc.subject.translatedsien
dc.subject.translatedganen
dc.subject.translatedpower transistoren
dc.subject.translatedswitching frequencyen
dc.subject.translatedpwmen
dc.subject.translatedpulse width modulationen
dc.subject.translatedmosfeten
dc.subject.translatedhemten
dc.subject.translatedfeten
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnickács
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-programAplikovaná elektrotechnikacs
dc.titleAnalýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů.cs
dc.title.alternativeAnalysis of semiconductor based on Si MOSFET and GaN with a basic driver topology.en
dc.typebakalářská prácecs
local.relation.IShttps://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=78620

Files

Original bundle
Showing 1 - 4 out of 4 results
No Thumbnail Available
Name:
BP_Alexandr_Justin.pdf
Size:
2.69 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Plný text práce
Download
No Thumbnail Available
Name:
078620_vedouci.pdf
Size:
867.04 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek vedoucího práce
Download
No Thumbnail Available
Name:
078620_oponent.pdf
Size:
977.67 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek oponenta práce
Download
No Thumbnail Available
Name:
078620_hodnoceni.pdf
Size:
66.83 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Průběh obhajoby práce
Download

Collections

Bachelor´s works (KEV)