Analýza polovodičových prvků Si MOSFET a GaN se základní topologií budicí obvodů.
Date issued
2019
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Západočeská univerzita v Plzni
Abstract
Nejprve je provedena důkladná rešerše technologií výkonových GaN tranzistorů, následuje rešerše Si MOSFET tranzistorů. V návaznosti na to jsou porovnány tranzistory a probráno GaN HEMT spínání na 1MHz a Si MOSFET spínání na 1kHz. V poslední části se práce zabývá zvolením vhodných budících obvodů pro tyto tranzistory v zapojení do půl můstku. Návrh budících obvodů zahrnuje výběr a dimenzování galvanicky izolovaného driveru, galvanicky izolovaného DC zdroje připojeného k driveru a obvodu pro generování mrtvých časů.
Description
Subject(s)
izolovaný driver, záporné napětí, budící obvody, blokové schéma, křemík, galium-nitrid, si, gan, výkonové tranzistory, spínací frekvence, pwm, pulsně šířková modulace, mosfet, hemt, fet