Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice

Show simple item record
dc.contributor.advisorDrábek, Pavel
dc.contributor.authorTruong, Dinh Hung
dc.contributor.refereeFořt, Jiří
dc.date.accepted2012-06-05
dc.date.accessioned2013-06-19T06:29:18Z
dc.date.available2010-10-18cs
dc.date.available2013-06-19T06:29:18Z
dc.date.issued2012
dc.date.submitted2012-05-11
dc.description.abstractPolovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.cs
dc.description.abstract-translatedSemiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology.en
dc.description.departmentKatedra technologií a měřenícs
dc.description.resultObhájenocs
dc.format40 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier40793
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/2662
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.subjectSiCcs
dc.subjectkarbid křemíkucs
dc.subject3C-SiCcs
dc.subject4H-SiCcs
dc.subject6H-SiXCcs
dc.subjectpolytypiecs
dc.subjectepitaxecs
dc.subjectohmický kontaktcs
dc.subjectSchottkyho kontaktcs
dc.subjectPN dioda s SiCcs
dc.subjectSchottkyho dioda s SiCcs
dc.subjectVJFET s SiCcs
dc.subjectpulsní měničcs
dc.subject.translatedSiCen
dc.subject.translatedsilicon carbideen
dc.subject.translated3C-SiCen
dc.subject.translated4H-SiCen
dc.subject.translated6H-SiXCen
dc.subject.translatedpolytypieen
dc.subject.translatedepitaxeen
dc.subject.translatedohmický kontakten
dc.subject.translatedSchottkyho kontakten
dc.subject.translatedPN dioda s SiCen
dc.subject.translatedSchottkyho dioda s SiCen
dc.subject.translatedVJFET s SiCen
dc.subject.translatedpulsní měničen
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnickács
dc.thesis.degree-levelNavazujícícs
dc.thesis.degree-nameIng.cs
dc.thesis.degree-programElektrotechnika a informatikacs
dc.titleModerní polovodičové součástky ve výkonové elektronicecs
dc.title.alternativeModern semiconductor components in power electronicsen
dc.typediplomová prácecs
local.relation.IShttps://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=40793

Files

Original bundle
Showing 1 - 4 out of 4 results
No Thumbnail Available
Name:
DP_Truong_MPSVE_2012.pdf
Size:
3.12 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Plný text práce
Download
No Thumbnail Available
Name:
040793_vedouci.pdf
Size:
267.24 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek vedoucího práce
Download
No Thumbnail Available
Name:
Truong_O.pdf
Size:
657.77 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek oponenta práce
Download
No Thumbnail Available
Name:
040793_hodnoceni.pdf
Size:
112.43 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Průběh obhajoby práce
Download

Collections

Theses (KET)