Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice
Date issued
2012
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Západočeská univerzita v Plzni
Abstract
Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice.
Description
Subject(s)
SiC, karbid křemíku, 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiXC, polytypie, epitaxe, ohmický kontakt, Schottkyho kontakt, PN dioda s SiC, Schottkyho dioda s SiC, VJFET s SiC, pulsní měnič