Vysoce žádoucí polovodičové materiály pro polovodičovou optoelektroniku: zředěné bismidové slitiny InAs1_xBix
Date issued
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Elsevier
Abstract
V rámci hustoty funkční teorie (DFT) jsme provedli samostatnou konzistentní plnohodnotnou linearizovanou metodu rozšířené roviny (FP-LAPW) pro zkoumání strukturálních, elektronických a optických vlastností zředěných bismidových slitin InAs1_xBix (0 _ x _ 0,125) pro mid-IR optoelektronika aplikace
Description
Subject(s)
Slitina bismidu InAs1_xBix, střední-IR optoelektronika, Metoda FP-LAPW (TB-mBJ), Optoelektronické charakteristiky
Citation
ASSALI, A., BOUSLAMA, M., AL-JAARY, A. H. R., CHAABANE, L. Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1_xBix alloys. Materials research bulletin, 2017, roč. 95, č. Nov 2017, s. 588-596. ISSN 0025-5408.