Vysoce žádoucí polovodičové materiály pro polovodičovou optoelektroniku: zředěné bismidové slitiny InAs1_xBix

Date issued

2017

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Elsevier

Abstract

V rámci hustoty funkční teorie (DFT) jsme provedli samostatnou konzistentní plnohodnotnou linearizovanou metodu rozšířené roviny (FP-LAPW) pro zkoumání strukturálních, elektronických a optických vlastností zředěných bismidových slitin InAs1_xBix (0 _ x _ 0,125) pro mid-IR optoelektronika aplikace

Description

Subject(s)

Slitina bismidu InAs1_xBix, střední-IR optoelektronika, Metoda FP-LAPW (TB-mBJ), Optoelektronické charakteristiky

Citation

ASSALI, A., BOUSLAMA, M., AL-JAARY, A. H. R., CHAABANE, L. Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1_xBix alloys. Materials research bulletin, 2017, roč. 95, č. Nov 2017, s. 588-596. ISSN 0025-5408.
OPEN License Selector