Optoelektronická struktura a související transportní vlastnosti Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7

Abstract

Pomocí metody the full-potential linearized augmented-plane wave byla zkoumána elektronická struktura a termoelektrické vlastnosti Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7. Modifikovaný potenciál Becke-Johnson byl aplikován k výměně korelační energie. Elektronické pásmové struktury odhalují, že minimální hodnota valenčního pásma a minimální pásmo vodivosti se vyskytují v bodě C, což naznačuje, že Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7 mají přímé polovodičové energetické pásmo. Vyskytla se silná hybridizace mezi stavy Ag (Cd) -s / p a O-s / p. Optické vlastnosti, tj. Komplexní dielektrická funkce, odrazivost, index lomu a funkce ztráty energie, odhalují vysokou odrazivost v oblasti ultrafialové energie, což ukazuje na užitečnost těchto materiálů na stínění vysokoenergetických záření. Kombinací transportní teorie a metody from the full-potential linearized augmented-plane wave byly termoelektrické vlastnosti analyzovány jako funkce teploty. Vzhledem k vysokému tepelnému výkonu a úzkému pásmu jsou Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7 vhodnými materiály pro použití v optoelektronických a termoelektrických zařízeních.