Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N

Show simple item record
dc.contributor.authorHouška, Jiří
dc.date.accessioned2020-12-14T11:00:10Z
dc.date.available2020-12-14T11:00:10Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractMaximální dosažitelný obsah N v Si‒C‒N je studován pomocí kombinace simulací využívajících ab-initio molekulární dynamiku v širokém rozsahu složení a hustot s experimentálními daty. Hustoty vedoucí na nejhlubší energetická minima jsou v souladu s experimentem právě tehdy, když simulační algoritmus umožňuje formování a přítomnost molekul N2. Molekulám N2 nevázaným k amorfní síti je věnována hlavní pozornost s cílem předpovědět a vysvětlit maximální obsah N vázaného v amorfních sítích. Existují významné rozdíly mezi jednotlivými složeními, od žádného N2 při optimální hustotě Si3N4 (57 at.% vázaného N) až po mnoho N2 při optimální hustotě a-C3N4 (42 at.% vázaného N). Teoretická předpověď je v souladu s experimentálními výsledky reaktivního magnetronového naprašování při různých složeních rozprašovaného terče Si + C a různých parciálních tlacích N2.cs
dc.description.abstract-translatedThe maximum achievable N content in Si‒C‒N is examined by combining ab-initio molecular dynamics simulations in a wide range of compositions and densities with experimental data. When and only when the simulation algorithm allows the formation and final presence of N2 molecules, the densities leading to the deepest local energy minima are in agreement with the experiment. The main attention is paid to unbonded N2 molecules, with the aim to predict and explain the maximum content of N bonded in the amorphous networks. There are significant differences resulting from different compositions, ranging from no N2 at the lowest-energy density of a Si3N4 (57 at.% of bonded N) to many N2 at the lowest-energy density of a-C3N4 (42 at.% of bonded N). The theoretical prediction is in agreement with experimental results of reactive magnetron sputtering at varied Si + C sputter target composition and N2 partial pressure.en
dc.format8 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.citationHOUŠKA, J. Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N. ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, roč. 12, č. 37, s. 41666-41673. ISSN 1944-8244.cs
dc.identifier.document-number572965700072
dc.identifier.doi10.1021/acsami.0c08300
dc.identifier.issn1944-8244
dc.identifier.obd43930300
dc.identifier.uri2-s2.0-85091191944
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/42277
dc.language.isoenen
dc.project.IDGA19-14011S/Design nových funkčních materiálů, a cest pro jejich reaktivní magnetronové naprašování, pomocí pokročilých počítačových simulacícs
dc.publisherAmerican Chemical Societyen
dc.relation.ispartofseriesACS Applied Materials and Interfacesen
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© American Chemical Societyen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.subjectobsah Ncs
dc.subjectvznik N2cs
dc.subjectSi‒C‒N, C3N4cs
dc.subjectSi3N4cs
dc.subjectCNxcs
dc.subjectab-initiocs
dc.subjectmolekulární dynamikacs
dc.subject.translatedN contenten
dc.subject.translatedN2 formationen
dc.subject.translatedSi‒C‒Nen
dc.subject.translatedC3N4, Si3N4en
dc.subject.translatedCNxen
dc.subject.translatedab-initioen
dc.subject.translatedmolecular dynamicsen
dc.titleMaximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒Nen
dc.title.alternativeMaximální dosažitelný obsah dusíku při růstu amorfního Si‒C‒N atom po atomucs
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.type.versionpublishedVersionen

Files

Collections

OBD
 Articles (NTIS)
 OPEN License Selector