Strongly thermochromic W-doped VO2 films with a large temperature coefficient of electrical resistance near room temperature
Date issued
2025
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
We report the crystal structure, surface morphology, electronic band structure, optical and electrical properties, and semiconductor-metal transition characteristics of strongly thermochromic W-doped VO2 films with a large (up to −16 % 1/K) temperature coefficient of electrical resistance at a small hysteresis width of electrical resistivity (down to 3 °C) near room temperature, and with a wide temperature operation range at a high detection sensitivity (≥ 8 % 1/K) and low values of the electrical resistivity. They were deposited at a reduced substrate temperature of 350 °C onto soda-lime glass (SLG) with two versions of yttria-stabilized zirconia (YSZ) interlayers possessing different cubic crystal orientations, and onto bare SLG and monocrystalline YSZ and Al2O3 substrates for comparison. The W-doped VO2 depositions were performed using reactive deep oscillation magnetron sputtering with feedback pulsed O2 flow control, allowing us to increase the deposition rate of films up to 20–30 nm/min for a target-substrate distance of 100 mm. The results are important for further improvement of the thermochromic performance of VO2-based coatings for energy-saving smart windows and for a new design of high-performance infrared detectors and temperature sensors prepared by a fast, low-temperature, scalable synthesis.
Popisujeme krystalovou strukturu, morfologii povrchu, elektronovou pásovou strukturu, optické a elektrické vlastnosti a charakteristiky přechodu polovodič-kov silně termochromických vrstev VO2 dopovaných wolframem s velkým teplotním součinitelem elektrického odporu (až −16 % 1/K) při malé šířce hystereze elektrické rezistivity (až jen 3 °C) v blízkosti pokojové teploty, a s širokým teplotním rozsahem provozu při vysoké detekční citlivosti (≥ 8 % 1/K) a nízkých hodnotách elektrické rezistivity. Vrstvy byly naneseny při snížené teplotě substrátu 350 °C na sodnovápenaté sklo (SLG) se dvěma verzemi mezivrstev yttriem stabilizovaného oxidu zirkoničitého (YSZ) s různými orientacemi kubických krystalů, a pro srovnání také na čisté SLG a monokrystalické substráty YSZ a Al2O3. Depozice VO2 dopovaného wolframem byly provedeny pomocí reaktivního magnetronového naprašování s hlubokými oscilacemi a s pulzní regulací průtoku O2, což nám umožnilo zvýšit rychlost depozice vrstev až na 20–30 nm/min při vzdálenosti terč-substrát 100 mm. Výsledky jsou důležité pro další zlepšení termochromických vlastností povlaků na bázi VO2 pro energeticky úsporná inteligentní okna a pro nový design vysoce výkonných infračervených detektorů a teplotních senzorů připravených pomocí rychlé nízkoteplotní škálovatelné syntézy.
Popisujeme krystalovou strukturu, morfologii povrchu, elektronovou pásovou strukturu, optické a elektrické vlastnosti a charakteristiky přechodu polovodič-kov silně termochromických vrstev VO2 dopovaných wolframem s velkým teplotním součinitelem elektrického odporu (až −16 % 1/K) při malé šířce hystereze elektrické rezistivity (až jen 3 °C) v blízkosti pokojové teploty, a s širokým teplotním rozsahem provozu při vysoké detekční citlivosti (≥ 8 % 1/K) a nízkých hodnotách elektrické rezistivity. Vrstvy byly naneseny při snížené teplotě substrátu 350 °C na sodnovápenaté sklo (SLG) se dvěma verzemi mezivrstev yttriem stabilizovaného oxidu zirkoničitého (YSZ) s různými orientacemi kubických krystalů, a pro srovnání také na čisté SLG a monokrystalické substráty YSZ a Al2O3. Depozice VO2 dopovaného wolframem byly provedeny pomocí reaktivního magnetronového naprašování s hlubokými oscilacemi a s pulzní regulací průtoku O2, což nám umožnilo zvýšit rychlost depozice vrstev až na 20–30 nm/min při vzdálenosti terč-substrát 100 mm. Výsledky jsou důležité pro další zlepšení termochromických vlastností povlaků na bázi VO2 pro energeticky úsporná inteligentní okna a pro nový design vysoce výkonných infračervených detektorů a teplotních senzorů připravených pomocí rychlé nízkoteplotní škálovatelné syntézy.
Description
Subject(s)
W-doped VO2, large temperature coefficient of resistance, infrared detectors, decreased transition temperature, low deposition temperature, VO2 dopovaný W, velký teplotní součinitel odporu, infračervené detektory, snížená přechodová teplota, nízká teplota depozice