alpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronics
| dc.contributor.author | Krempaský, j. | |
| dc.contributor.author | Springholz, Gunther | |
| dc.contributor.author | Minár, Jan | |
| dc.contributor.author | Dil, Jan Hugo | |
| dc.date.accessioned | 2019-01-21T11:00:11Z | |
| dc.date.available | 2019-01-21T11:00:11Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.description.abstract | GeTe je nejjednodušší známý binární feroelektrický polovodič s úzkým pásmem. Nižší než 700 K předpokládá nesentrosymmetrickou rohomedickou strukturu, ve které je vytvořen elektrický dipól vzhledem k relativní Ge / Te podtlakový posun ve směru [111]. Feroelektrická polarizace je výsledkem asymetrických poloh Ge a Te atomů v tomto směru a zajišťuje, že systém má dobře definovanou osu pro rozdělení symetrie, což vede k obří rozebírání rozebíratelné struktury pásma Rashby. Zpráva o prvotřídních výpočtech naznačuje, že velké rozměry mřížky zodpovědné za feroelektrické uspořádání jsou také nejvýznamnější složkou pro obra Rashba-spin-dělení. Zkontrolujeme experimentální ověření tohoto obřího rozštěpení typu Rashba a zobrazíme hlavní výsledky (GeMn) Te jsou nové paralelní multiferoické polovodiče s magnetoelektickými vlastnostmi, nabízející široké možnosti pro navrhování spintronických materiálů. | cs |
| dc.description.abstract-translated | GeTe is the simplest known binary ferroelectric semiconductor with a narrow band gap. Below 700 K it assumes a non-centrosymmetric rhombohedral structure in which an electric dipole is formed due to a relative Ge/Te sublattice displacement along the [111] direction. Ferroelectric polarization results from asymmetric positions of Ge and Te atoms along that direction and ensures that the system possess a well-defined axis for symmetry breaking, resulting in a giant Rashba-type spin splitting of the bulk band structure. We report on first-principle calculations which indicate that the large lattice distortion responsible for the ferroelectric order is also the most significant ingredient for the giant Rashba-type spin-splitting. We review the experimental verification of this giant Rashba-type splitting and show the main results proving that (GeMn)Te is a new paradigm multiferroic semiconductor with magnetoelectic properties, offering broad opportunities for spintronics materials design. | en |
| dc.format | 6 s. | cs |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.identifier.citation | KREMPASKÝ, j., SPRINGHOLZ, G., MINÁR, J., DIL, J.H. alpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronics. In APCOM 2018. Strbske Pleso: American Institute of Physics Inc., 2018. s. 2-11. ISBN 978-0-7354-1712-0 , ISSN 0094-243X. | en |
| dc.identifier.document-number | 443464900026 | |
| dc.identifier.doi | 10.1063/1.5048878 | |
| dc.identifier.isbn | 978-0-7354-1712-0 | |
| dc.identifier.issn | 0094-243X | |
| dc.identifier.obd | 43923851 | |
| dc.identifier.uri | 2-s2.0-85051846863 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/30852 | |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.project.ID | info:eu-repo/grantAgreetment/EC/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami /CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000358 | cs |
| dc.publisher | American Institute of Physics Inc. | en |
| dc.relation.ispartofseries | Apcom 2018 | en |
| dc.rights | Plný text není přístupný. | cs |
| dc.rights | © American Institute of Physics Inc. | en |
| dc.rights.access | closedAccess | en |
| dc.subject | ARPES, KKR, spintronika | cs |
| dc.subject.translated | ARPES, KKR, Spintronics | en |
| dc.title | alpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronics | en |
| dc.title.alternative | α-GeTe a (GeMn) Te polovodiče: nová paradigma pro spintroniku | cs |
| dc.type | konferenční příspěvek | cs |
| dc.type | conferenceObject | en |
| dc.type.status | Peer-reviewed | en |
| dc.type.version | publishedVersion | en |