Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate
Date issued
2016
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Abstract
Práce je zaměřena na přípravu grafenu s využitím tzv. bezpřenosové metody, která vychází ze struktury
kov/C/SiO2/Si. Tenké vrstvy niklu či kobaltu byly použity
jako kov.Článek se zabývá optimalizací tloušťky
kovů a žíhacího procesu (teploty a doby žíhání)s cílem připravit grafen s
co nejlepšími parametry. Úspěšně se nám podařilo připravit dvouvrstvý grafen.
Description
Subject(s)
grafen, bezpřenosová metoda, žíhání
Citation
Electroscope. 2016, č. 1.